记者17日从中核集团中国原子能科学研究院获悉，由该院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标达到国际先进水平。这标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链中的关键环节，为推动高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定坚实基础。

（中核集团供图）

离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约我国关键技术产业升级发展的瓶颈之一。

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