【新华社微特稿】韩国三星电子公司6月30日宣布，已开始量产3纳米芯片。

3纳米芯片基于全环绕栅级(Gate-All-Around)技术。三星电子说，相对于其5纳米芯片，初代3纳米芯片可减少45%的能耗，提升23%的性能并减少16%的面积。全环绕栅级技术可最终减少多达50%的能耗，提升30%的性能并减少35%的面积。

三星晶圆代工业务负责人崔时永（音译）说：“我们将继续研发创新技术，努力快速获取成熟技术。”

全球最大芯片代工企业中国台湾积体电路制造股份有限公司（台积电）说，将于今年下半年开始量产3纳米芯片。

作为全球最大存储芯片制造商，三星电子说，其2纳米芯片仍在研发初期，计划2025年量产。

HMC投资和证券公司技术研究部负责人格雷格·卢预期，三星电子晶圆代工业务今年将同比增加大约40%，“三星电子接到的晶圆代工订单数量超过其生产能力。现在的问题是，这家公司能否通过长期计划和充足投资，良好、迅速满足需求”。

三星电子公司上月说，今后5年间将在半导体和生物技术领域投资450万亿韩元（约合2.32万亿元人民币）。这一投资规模比过去5年增加120万亿韩元(6192亿元人民币)，增幅达36%。